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“小林，你再看看光刻机的材料。”武定国看向林致远的眼神更慈祥了。林致远拿起那份光刻机的材料，一看，大吃一惊。
原来我们国家很早以前就开始光刻机的研发了，而且技术水平还不低。
这超出了林致远前世的认知。
1965年神州科学院研制出65型接触式光刻机。
1970年，神州科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。
1972年，江汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。
1977年，我国最早的光刻机-gk-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。
1978年，1445所在gk-3的基础上开发了gk-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。
1980年，青华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。
1981年，神州科学院半导体所研制成功jk-1型半自动接近式光刻机。
1982年，科学院109厂研制出了kha-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的相比最多也就不到4年。
1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到花旗国4800dsw的水平。这应当是神州第一台分步投影式光刻机，神州在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。
只可惜进入九十年代后，我国光刻机光源长时间被卡在193纳米无法进步，这个技术非常关键。而且在八十年代，我国和花旗国的关系得到改善，很多过去对我们限制的高科技产品，现在都可以卖给我们了，国外的光刻机产品，䗼价比远高于自我研发，我国光刻技术的研发和产业化实质上放弃了自主攻关。
“小林，你关注稀土我能理解，但是光刻机真的有这么重要吗？”
现在是1998年，武定国提出这个问题并不奇怪。因为在这个时代，高新科技产业还没到集中爆发的时候，各行各业对芯片的要求不是太多，再加上我们还可以从国外进口，很大程度弥补了这个缺陷。
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